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Was sich am Speichermarkt tut: Meldungen aus Fachpresse und Hersteller-Newsrooms in eigenen Worten mit Quelle, Marktmeldungen aus unseren Schweizer Preisdaten und Notizen der Redaktion. 2 Meldungen im Archiv, Stand 25. Oktober 2026. Auch als RSS-Feed.
Oktober 2026
Micron verzichtet auf 4F²-DRAM und setzt weiter auf 6F² und später 3D-DRAM
Micron stellt die Entwicklung von DRAM mit 4F²-Speicherzellen nach rund zwei Jahrzehnten Forschung ein; laut Technikchef Scott DeBoer bringt die Architektur keinen nennenswerten Dichtevorteil, verteuert und verkompliziert die Fertigung und stösst an grundlegende Skalierungsgrenzen, da letztlich der Abstand der Kondensatoren die Bitdichte bestimme. Stattdessen will der Hersteller die herkömmliche 6F²-Bauweise weiter verkleinern, etwa mit dem Prozess 1δ, der ab der zweiten Hälfte 2027 in Serie gehen und die Bitdichte gegenüber dem Vorgänger um gut 20 Prozent steigern soll, sowie später mit High-NA-EUV-Lithografie. Langfristig sieht Micron die Zukunft in 3D-DRAM, während Samsung und SK hynix gemäss TechInsights 4F² weiterhin in ihren Plänen führen.
Quelle: Tom's HardwareYMTC plant Massenfertigung von LPDDR5X mit 9600 MT/s in Fab 3
Gemäss Counterpoint Research stellt der NAND-Hersteller YMTC seit Oktober 2025 in seiner Fab 2 rund 5000 Wafer pro Monat mit 16-Gb-LPDDR5X-Chips für 7500 MT/s her. Nun bereitet das Unternehmen in der Fab 3 die Volumenfertigung von LPDDR5X mit 9600 MT/s vor und setzt dabei auf eine 4F²-Zellstruktur mit vertikalen Kanaltransistoren. Micron hat laut TechPowerUp hingegen bestätigt, bis zur Einführung von 3D-DRAM beim heute üblichen 6F²-Layout zu bleiben.
Quelle: TechPowerUp