Micron verzichtet auf 4F²-DRAM und setzt weiter auf 6F² und später 3D-DRAM

Micron stellt die Entwicklung von DRAM mit 4F²-Speicherzellen nach rund zwei Jahrzehnten Forschung ein; laut Technikchef Scott DeBoer bringt die Architektur keinen nennenswerten Dichtevorteil, verteuert und verkompliziert die Fertigung und stösst an grundlegende Skalierungsgrenzen, da letztlich der Abstand der Kondensatoren die Bitdichte bestimme. Stattdessen will der Hersteller die herkömmliche 6F²-Bauweise weiter verkleinern, etwa mit dem Prozess 1δ, der ab der zweiten Hälfte 2027 in Serie gehen und die Bitdichte gegenüber dem Vorgänger um gut 20 Prozent steigern soll, sowie später mit High-NA-EUV-Lithografie. Langfristig sieht Micron die Zukunft in 3D-DRAM, während Samsung und SK hynix gemäss TechInsights 4F² weiterhin in ihren Plänen führen.