Micron verzichtet auf 4F²-Zellen, 1δ-DRAM ab zweitem Halbjahr 2027

Micron hat seine DRAM-Planung für die kommenden Jahre vorgestellt. Anders als CXMT, Samsung und SK hynix bleibt der Hersteller bei 6F²-Zellen und will die Fertigung über Wafer-Bonding, High-NA-EUV-Belichtung, neue Materialien und später zwei Generationen 3D-DRAM weiter verkleinern. Einen festen Termin nennt Micron nur für den 1δ-Prozess: Er soll in der zweiten Hälfte 2027 in den USA in Serie gehen, laut Hersteller die Bitdichte gegenüber 1γ um einen Wert im mittleren 20-Prozent-Bereich steigern und unter anderem für DDR, LPDDR und HBM5 eingesetzt werden. Ab HBM4E will Micron zudem kundenspezifische HBM-Varianten anbieten.