Nagare Labs entwickelt neuen Speichertyp Z2RAM mit zwei Transistoren pro Zelle

Das Unternehmen Nagare Labs, an dem auch der frühere Intel-Chef Pat Gelsinger beteiligt ist, arbeitet an Z2RAM, dessen Speicherzelle anstelle von Transistor und Kondensator wie bei DRAM zwei Transistoren nutzt. Für die erste Version strebt Nagare Labs mehr als die fünffache Bitdichte von SRAM an, und dank stapelbarer Zellen erwartet die Firma eine günstigere Fertigung als bei HBM und LPDDR. Die Technik ist noch im Laborstadium: Funktionsfähige Module sollen innerhalb von vier Jahren gezeigt werden, kommerzielle Auslieferungen innerhalb von zehn Jahren.