Micron plant Wafer-Bonding ab 1ε und High-NA-EUV für spätere DRAM-Generationen

Laut Micron soll der Prozess 1δ in der zweiten Hälfte 2027 in die Serienfertigung gehen und die Bitdichte um rund ein Viertel erhöhen; der Nachfolger 1ε führt Wafer-Bonding ein, danach folgen High-NA-EUV-Belichtung und neue Materialien. Zudem entwickelt der Hersteller vertikalen HBM (vHBM) und Edge-Inferenzspeicher (vEIM), die direkt auf Prozessoren gestapelt werden; die erste vEIM-Generation zielt auf 2 TB/s bei weniger als 1 pJ/bit. Termine für 3D-DRAM sowie für die Serienfertigung von vHBM und vEIM nennt Micron nicht.